【新発想】IBMとサムスンが「バッテリーが1週間持つスマホ」の実現につながる新型半導体設計を発表

2021-12-18

IBMとSamsungが「バッテリーが1週間持つスマホ」の実現につながる新型半導体設計を発表、「トランジスタを縦向きに重ねる」という新発想

記事によると…

・現地時間2021年12月14日、IBMがSamsungと共同開発した「トランジスタを縦向きに重ねる」という発想の新型半導体設計「Vertical Transport Field Effect Transistors(VTFET)」を発表しました。

VTFETは従来型の設計と比べて消費電力あたりの性能を2倍＆エネルギー消費量を85％削減できる可能性があり、「充電せずともバッテリーが1週間持つスマートフォン」の実現につながるとされています。

・新たにIBMとSamsungが共同開発したのは、既存の「トランジスタを平面上に並べる」という方式とは根本的に異なる「トランジスタを垂直方向に重ねる」というスタイルの半導体設計です。どのような設計なのかを解説する公式ムービーが以下。

2021年12月16日 15時00分
https://gigazine.net/news/20211216-ibm-samsung-vertical-transistor-architecture-chip/

トランジスタ

トランジスタとは、電子回路において、信号を増幅またはスイッチングすることができる半導体素子である。 1940年代末に実用化されると、真空管に代わってエレクトロニクスの主役となった。論理回路を構成するための電子部品としては最も普及しており、集積回路の多くは微細なトランジスタの集合体である。
出典：Wikipedia